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貼片電容常見的質(zhì)量問(wèn)題

作者: 貼片電容發(fā)表時(shí)間:2020-01-09 16:48:09瀏覽量:4433

首先是陶瓷本體問(wèn)題-斷裂或微裂,這是最常見的問(wèn)題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯,而微裂一般出在內(nèi)部,不容易觀察到,涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過(guò)程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。
文本標(biāo)簽:貼片電容

 首先是陶瓷本體問(wèn)題-斷裂或微裂,這是最常見的問(wèn)題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯,而微裂一般出在內(nèi)部,不容易觀察到,涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過(guò)程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。


  其次是片狀電容電性能問(wèn)題。片狀電容使用一段時(shí)間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。


  以上兩個(gè)問(wèn)題往往同時(shí)產(chǎn)生,互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項(xiàng)重要的參數(shù),衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大,片狀電容儲(chǔ)存不了電量,片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效,引發(fā)了對(duì)片狀電容可靠性問(wèn)題的爭(zhēng)論。


  可靠性問(wèn)題:片狀電容失效分為三個(gè)階段。


  第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過(guò)程的失效,這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過(guò)程中,第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí),有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率;


       第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵,否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力,燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序,燒結(jié)不良可以直接影響到電性能,且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋,這些微裂紋對(duì)一般電性能不會(huì)產(chǎn)生影響,但影響產(chǎn)品的可靠性。

貼片電容

      

       主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降,漏電。防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生:從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù),以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理,電性能穩(wěn)定,可靠性好。


  第二階段是片狀電容長(zhǎng)時(shí)間工作出現(xiàn)失效現(xiàn)象,這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機(jī)到消費(fèi)者手中出現(xiàn)整機(jī)功能障礙,追溯原因,發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大,失效。一般此類問(wèn)題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露,該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個(gè)階段嚴(yán)重得多。


  由于整機(jī)在消費(fèi)者使用過(guò)程中涉及到的條件,整機(jī)生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗(yàn)過(guò),所以片狀電容在整機(jī)出廠前,應(yīng)符合電子路線的要求,但整機(jī)因片狀電容使用一段時(shí)間出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題,則要認(rèn)證研究片狀電容生產(chǎn)或加工過(guò)程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機(jī)設(shè)備的正常工作。


  片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題,特別是涉及到可靠性問(wèn)題的質(zhì)量問(wèn)題,是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降‘漏電流增大居多,出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問(wèn)題,應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問(wèn)題。

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